用于制造和處理硅芯片的化學(xué)品的凈化度對于生產(chǎn)電氣特性和可靠性穩(wěn)定的電子部件和電路來說非常高。為了防止硅芯片上的粒子污染，請使用電子純度化學(xué)物質(zhì)(凈化到0.2微米粒子大小以下的膜過濾器)，減少現(xiàn)在不含離子雜質(zhì)、可溶性雜質(zhì)和有機(jī)雜質(zhì)的化學(xué)品。這些雜質(zhì)很有害。因此，必須生產(chǎn)離子污染(堿金屬和重金屬污染)濃度低的超高純磷酸。

　　因此，在高磷酸萃取純化中使用膜過濾裝置，可以有效地去除雜質(zhì)，效率更高，完全不產(chǎn)生污染物。

　　超高純磷酸銀雙極器件和金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管生產(chǎn)中的Si3N4。有助于薄膜或鋁薄膜的線型刻蝕。有幾種生產(chǎn)超高純磷酸的方法，一種是純化商品元素磷，在空氣中燃燒，將氧化磷排出水中。第二是純化商品氧化后，引水，第三是純化商品磷酸。目前，精制元素磷的技術(shù)引進(jìn)了現(xiàn)有的熱磷酸生產(chǎn)工藝，使用過濾到0.2微米的去離子數(shù)和空氣，嚴(yán)格選擇構(gòu)建設(shè)備所需的優(yōu)良材料，生產(chǎn)出超高純磷酸。該產(chǎn)品比一般電子級純度的磷酸純得多，幾乎檢測不到雜質(zhì)含量。

　　因此，制作高純度的高磷酸分離和過濾只能通過膜過濾設(shè)備來完成。